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参数资料
| 型号： | MBM29DL161BE-90PBT |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件页数： | 63/76页 |
| 文件大小： | 1145K |
| 代理商： | MBM29DL161BE-90PBT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页当前第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页
MBM29DL16XTE/BE70/90
66
(3) Data Polling Algorithm
DQ7 = Data?
*
No
DQ7 = Data?
DQ5 = 1?
Yes
No
Read Byte
(DQ7 to DQ0)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ7 to DQ0)
Addr. = VA
Yes
Start
Fail
Pass
* : DQ7 is rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.
VA = Address for programming
= Any of the sector addresses within
the sector being erased during
sector erase or multiple sector
erases operation.
= Any of the sector addresses within
the sector not being protected
during chip erase operation.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL163TD12PBT | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| MBM29DL32TF70TN | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| MBM29F800TA-70PFTN-E1 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| MBR-2051-1B5T | 51 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
| MBR-2069-0A1T | 69 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM29DL161BE-90TN | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161BE-90TR | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TD | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TD-70PBT | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TD-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
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