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参数资料
型号： MBN1200E33C
厂商： HITACHI METALS LTD
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-9
文件页数： 2/6页
文件大小： 388K
代理商： MBN1200E33C
IGBT MODULE
MBN1200E33C
CHARACTERISTICS CURVE
STATIC CHARACTERISTICS
Spec.No.IGBT-SP-06010 R1 (P2/5)
Collector Current vs.Collector to Emitter Voltage
TYPICAL
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
IC
(A
)
Tc=25
9V
5V
7V
VGE=15V13V
11V
0
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400
600
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1000
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1400
1600
1800
2000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
IC
(A
)
Tc=125
9V
5V
7V
11V
VGE=15V 13V
Collector Current vs.Collector to Emitter Voltage
TYPICAL
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
1
2
3
4
5
Forward Voltage VF (V)
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
IF
(A
)
Tc=25
Tc=125
Forward Voltage of free-wheeling diode
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