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参数资料
| 型号： | MBN1200E33C |
| 厂商： | HITACHI METALS LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-9 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | MBN1200E33C |
IGBT MODULE
MBN1200E33C
DEPENDENCE OF RG
Spec.No.IGBT-SP-06010 R1 (P4/5)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
"
)
T
ur
n-
on
L
os
s
E
on
(J
/p
ul
se
)
Eon(Full)
#
Conditions
$
Tc=125
%
Vcc=1650V
IC=1200A
L=100nH
VG=±15V
Eon(10%)
Turn-on Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
IC
VGE
10%
VCE
0
t1 t3 t4 t2
Eon(10%)=
&
IC
'
VCE dt
Eon(full)=
(
IC
'
VCE dt
t4
t2
t3
t1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
"
)
T
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n-
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E
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Eoff(Full)
Eoff(10%)
#
Conditions
$
Tc=125
%
Vcc=1650V
IC=1200A
L=100nH
VG=±15V
Turn-off Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
Eoff(10%)=
&
IC
'
VCE dt
Eoff(full)=
&
IC
'
VCE dt
t8
t6
t7
t5
VGE
VCE
IC
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t8
t7
t
0
t5
t6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
"
)
R
ev
er
se
R
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ov
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y
L
os
s
E
rr
(J
/p
ul
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)
Err(Full)
Err(10%)
#
Conditions
$
Tc=125
%
Vcc=1650V
IC=1200A
L=100nH
VG=±15V
Recovery Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
Err(10%)=
(
IC
'
VCE dt
Err(full)=
&
IC
'
VCE dt
t12
t10
t11
t9
VCE
0.1VCE
0.1IF
IRM
IC
t10
t11
t
0
t12
t9
IF
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PDF描述 |
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