参数资料
型号: MBR10H100-45
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/4页
文件大小: 130K
代理商: MBR10H100-45
MBR10H100, MBRF10H100 & MBRB10H100
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88667
www.vishay.com
01-Jul-02
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
0
50
150
100
250
200
300
110
100
1.0
1000
0.01
0.1
110
100
1000
10000
10
100
180
MBRF
MBR
MBRB
10000
100
10
I R
-
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
0.1
20
100
40
60
80
0.2
0.6
0.7
0.8
0.9
0.3
100
10
0.1
0.01
1.0
0.4
0.5
1.0
TJ = 25°C
TJ=150°C
TJ = 175°C
TJ = 125°C
TJ = 100°C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 100°C
TJ = 125°C
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Per Leg
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Per Leg
相关PDF资料
PDF描述
MA4E2501L-1290W SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE
MAP6KE130CATRE3 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MAP6KE150CAE3 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MAP6KE30CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MAP6KE43AE3 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
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MBR10H100CT_10 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
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