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参数资料
| 型号： | MBR20H150CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SCHTTKY DUAL H-SER TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 680mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR20H150CTG-ND MBR20H150CTGOS |
MBRF20H150CTG, MBR20H150CTG
http://onsemi.com
3
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
Figure 1. Typical Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
TJ
= 125
°C
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
0.1
0 0.2 1 1.8 20.4 0.6 1.60.8
1.2
1.4
1
10
100
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
TJ
= 125
°C
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
0.1
0 0.2 1 1.8 20.4 0.6 1.60.8
1.2
1.4
1
10
100
2.2
2.4
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
Figure 3. Typical Reverse Current
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
TJ
= 100
°C
TJ
= 125
°C
TJ
= 25
°C
1.0E?07
1.0E?06
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140150
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140150
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
Figure 4. Maximum Reverse Current
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
TJ
= 100
°C
TJ
= 125
°C
TJ
= 25
°C
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 5. Current Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
SQUARE WAVE
dc
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION
(WATTS)
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
SQUARE
Figure 6. Forward Power Dissipation
dc
TJ
= 150
°C
0
110 115 120
2
4
6
8
10
125 130 135 140 145 150 155
12
14
16
18
0
0 2 4 6 8 10 12
2
4
6
8
10
12
14
16
18
14 16 18 20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC12DRAN | CONN EDGECARD 24POS R/A .100 SLD |
| NMN0.63BK75 | NYLON MULTI 5/8" BLACK 75' |
| EEC10DRTS-S93 | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
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| T95Z226M016CSSL | CAP TANT 22UF 16V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR20H150CTH | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MBR20H150FCT | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
| MBR20H200CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20H200CT/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20H200CT_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier |
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