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参数资料
| 型号： | MBR20H150CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SCHTTKY DUAL H-SER TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 680mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR20H150CTG-ND MBR20H150CTGOS |
MBRF20H150CTG, MBR20H150CTG
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220 FULLPAK
CASE 221D?03
ISSUE K
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
0.617 0.635 15.67 16.12
INCHES
B
0.392 0.419 9.96 10.63
C
0.177 0.193 4.50 4.90
D
0.024 0.039 0.60 1.00
F
0.116 0.129 2.95 3.28
G
0.100 BSC 2.54 BSC
H
0.118 0.135 3.00 3.43
J
0.018 0.025 0.45 0.63
K
0.503 0.541 12.78 13.73
L
0.048 0.058 1.23 1.47
N
0.200 BSC 5.08 BSC
Q
0.122 0.138 3.10 3.50
R
0.099 0.117 2.51 2.96
S
0.092 0.113 2.34 2.87
U
0.239 0.271 6.06 6.88
?
SEATINGPLANE
?T
U
C
S
J
R
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. 221D-01 THRU 221D-02 OBSOLETE, NEW
STANDARD 221D-03.
?B?
?Y?
G
N
D
3 PL
L
K
H
A
F
Q
123
0.25 (0.010) YB
M
M
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AF
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 6:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A
0.570 0.620 14.48 15.75
B
0.380 0.405 9.66 10.28
C
0.160 0.190 4.07 4.82
D
0.025 0.035 0.64 0.88
F
0.142 0.161 3.61 4.09
G
0.095 0.105 2.42 2.66
H
0.110 0.155 2.80 3.93
J
0.014 0.025 0.36 0.64
K
0.500 0.562 12.70 14.27
L
0.045 0.060 1.15 1.52
N
0.190 0.210 4.83 5.33
Q
0.100 0.120 2.54 3.04
R
0.080 0.110 2.04 2.79
S
0.045 0.055 1.15 1.39
T
0.235 0.255 5.97 6.47
U
0.000 0.050 0.00 1.27
V
0.045 --- 1.15 ---
Z
--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
?
SEATINGPLANE
?T
C
S
T
U
R
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC12DRAN | CONN EDGECARD 24POS R/A .100 SLD |
| NMN0.63BK75 | NYLON MULTI 5/8" BLACK 75' |
| EEC10DRTS-S93 | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
| C1005X7R1H153M | CAP CER 0.015UF 50V 20% X7R 0402 |
| T95Z226M016CSSL | CAP TANT 22UF 16V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR20H150CTH | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MBR20H150FCT | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
| MBR20H200CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20H200CT/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20H200CT_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier |
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