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参数资料
| 型号： | MBR41H100CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR41H100CTG-ND MBR41H100CTGOS |
MBR41H100CT, NRVBB41H100CT Series
http://onsemi.com
3
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1000
1
0.1
0 0.2 1.00.4
0.6
0.8
TJ
= 150
°C
TJ
= 25
°C
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS)
I
R
, REVERSE CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
20
?08
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0E?01
1.0E?02
1.0E?03
1.0E?06
1.0E
40
TJ
= 125
°C
TJ
= 150
°C
TJ
= 25
°C
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 5. Current Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
120
110
10
5
0
130 160140 150
SQUARE WAVE
dc
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION
(WATTS)
51015
0
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
50
5
0
SQUARE
Figure 6. Forward Power Dissipation
25
1.2
10
TJ
= 125
°C
1.0E?08
60 80 100
1.0E?07
1.0E?05
1.0E?04
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0E?01
1.0E?02
1.0E?03
1.0E?06
40
TJ
= 125
°C
TJ
= 150
°C
TJ
= 25
°C
60 80 100
1.0E?07
1.0E?05
1.0E?04
170 180
100
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1000
1
0.1
0 0.2 1.00.4
0.6 1.20.8
TJ
= 150
°C
TJ
= 25
°C
10
TJ
= 125
°C
10
15
20
30
35
DC
25
15
25
20
20
100
100
35
30
40
45
30 35 5040
45
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBR440MFST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:4.0 A 40 V SCHOTTKY DIOD - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 4.0 A 40 V SCHOTTKY DIOD |
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