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参数资料
| 型号： | MBR41H100CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR41H100CTG-ND MBR41H100CTGOS |
MBR41H100CT, NRVBB41H100CT Series
http://onsemi.com
4
C, CAPACITANCE (pF)
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
20 6040 80
TJ
= 25
°C
Figure 7. Capacitance
100
10000
1000
R(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Figure 8. Thermal Response Junction?to?Ambient
1000
0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.1
0.00001
t1, TIME (sec)
0.05
1
0.000001
0.1
10
100
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.1
0.01
R(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Figure 9. Thermal Response Junction?to?Case
1000
0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.1
0.00001
t1, TIME (sec)
10
0.001
0.000001
0.1
1
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0.01
0.01
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参数描述 |
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