参数资料
型号: MBRB30H60CTT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/10页
文件大小: 165K
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 15A H D2PAK
标准包装: 1
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 620mV @ 15A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 300µA @ 60V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 15A
电压 - (Vr)(最大): 60V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 标准包装
其它名称: MBRB30H60CTT4GOSDKR
MBRB30H60CT?1G, MBR30H60CTG, MBRF30H60CTG, MBRB30H60CTT4G,
NRVBB30H60CTT4G, MBRJ30H60CTG
http://onsemi.com
3
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
100
1
0.1
0 0.2 1.00.4
0.6
0.8
TJ
= 25
?C
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (A)
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
10
?06
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0E?01
1.0E?02
1.0E?03
1.0E
20
TJ
= 125
?C
TJ
= 25
?C
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 5. Current Derating for
MBRB30H60CT?1G, MBR30H60CTG,
MBRB30H60CTT4G and NRVBB30H60CTT4G
TC, CASE TEMPERATURE (?C)
120
110
10
5
0
130 160140 150
SQUARE WAVE
dc
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION
(W)
51015
0
0
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
16
2
SQUARE
Figure 6. Forward Power Dissipation
10
1.2
10
TJ
= 125
?C
30 40 6050
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0E?01
1.0E?02
1.0E?03
20
TJ
= 125
?C
TJ
= 25
?C
30 40 6050
1.0E?05
1.0E?04
170 180
100
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
100
1
0.1
0 0.2 1.00.4
0.6 1.20.8
TJ
= 25
?C
10
TJ
= 125
?C
4
6
8
12
14
DC
30
15
25
20
20
25
20
18
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