- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20648 > MBRB30H60CTT4G (ON Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 60V 15A H D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRB30H60CTT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 165K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 15A H D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 620mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 300µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBRB30H60CTT4GOSDKR |
MBRB30H60CT?1G, MBR30H60CTG, MBRF30H60CTG, MBRB30H60CTT4G,
NRVBB30H60CTT4G, MBRJ30H60CTG
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
I2PAK (TO?262)
CASE 418D?01
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
?T?
W
G
K
A
C
E
V
J
H
123
4
SEATINGPLANE
D
3 PL
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.335 0.380 8.51 9.65
B
0.380 0.406 9.65 10.31
C
0.160 0.185 4.06 4.70
D
0.026 0.035 0.66 0.89
E
0.045 0.055 1.14 1.40
G
0.100 BSC 2.54 BSC
H
0.094 0.110 2.39 2.79
J
0.013 0.025 0.33 0.64
S
0.390 REF 9.90 REF
V
0.045 0.070 1.14 1.78
W
0.522 0.551 13.25 14.00
?B?
T
B
M
0.13 (0.005)
M
S
F
F
0.122 REF 3.10 REF
K
0.500 0.562 12.70 14.27
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AG
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570 0.620 14.48 15.75
B
0.380 0.405 9.66 10.28
C
0.160 0.190 4.07 4.82
D
0.025 0.036 0.64 0.91
F
0.142 0.161 3.61 4.09
G
0.095 0.105 2.42 2.66
H
0.110 0.161 2.80 4.10
J
0.014 0.025 0.36 0.64
K
0.500 0.562 12.70 14.27
L
0.045 0.060 1.15 1.52
N
0.190 0.210 4.83 5.33
Q
0.100 0.120 2.54 3.04
R
0.080 0.110 2.04 2.79
S
0.045 0.055 1.15 1.39
T
0.235 0.255 5.97 6.47
U
0.000 0.050 0.00 1.27
V
0.045 --- 1.15 ---
Z
--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
?
SEATINGPLANE
?T
C
S
T
U
R
J
STYLE 6:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC10DRTS-S734 | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
| A7MFB-0910G | CABLE D-SUB-AMP09B/AE09G/AFP09B |
| ISL6605CRZ | IC DRIVER MOSFET DUAL SYNC 8QFN |
| HCC60DRTH-S93 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
| GBC06DRTS-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB30H80CT-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier 80 V, 30 A |
| MBRB30H80CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 80V H-SERIES I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB30H90CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier |
| MBRB30H90CT/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 90 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB30H90CT/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 90 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。