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参数资料
| 型号： | MBRB8H100T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 8A 100V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 710mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 4.5µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 600pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBRB8H100T4GOSDKR |
MBRB8H100T4G, NBRB8H100T4G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.1
0.2
0.1
1
10
100
1.2
1.3
1.0
1.1
0.8
0.9
0.6
0.7
0.4
0.5
0.2
0.3
0.1
1
10
100
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
VR, REVERSE VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
40 70 10090
80
60
50
30
20
10
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
40 70 10090
80
60
50
30
20
10
0
0.0001
0.01
0.1
1
10
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (A)
I
R
, REVERSE CURRENT (mA)
I
R
, REVERSE CURRENT (mA)
1.1
1.0
150°C
125°C
25°C
150°C
125°C
25°C
150°C
125°C
25°C
150°C
125°C
25°C
Figure 5. Typical Capacitance Figure 6. Current Derating, Case
VR, REVERSE VOLTAGE (V) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
40 90 10080
70
60
50
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1400
1800
2000
175
170
160
160
155
150
0
2
6
10
14
C, CAPACITANCE (pF)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD
CURRENT (A)
1000
1600
TJ
= 25
°C
f = 1 MHz
dc
100
0.001
100
1200
4
8
12
Square Wave
RJC
= 1.1
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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