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参数资料
| 型号： | MBRB8H100T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 8A 100V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 710mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 4.5µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 600pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBRB8H100T4GOSDKR |
MBRB8H100T4G, NBRB8H100T4G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Current Derating, Ambient Figure 8. Typical Forward Power Dissipation
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
120
100
80
40
20
0
0
1
2
3
4
8
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
RJA
= 44
°C/W
dc
Square Wave
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
8
4
3
2
1
0
0
2
1
5
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
TJ
= 175
°C
dc
Square Wave
Figure 9. Maximum Forward Power Dissipation
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
8
7
3
2
1
0
0
1
2
3
4
P
F(MAX)
, MAXIMUM POWER DISSIPATION (W)
TJ
= 175
°C
dc
Square Wave
60
5
6
7
7
6
5
3
4
6
5
4
dc
RJA
= 80
°C/W
5
Figure 10. Thermal Response, Junction?to?Ambient
0.0001 0.001 0.01 1.00.1
0.00001
PULSE TIME (s)
100
10
0.1
0.01
0.001
10 100
0.000001
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
1000
1.0
R
(t)
, TRANSIENT THERMAL RESPONSE (
°
C/W)
180
160
140
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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