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参数资料
| 型号： | MBRD5H100T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 100K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5A 100V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 710mV @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3.5µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBRD5H100T4GOSDKR |
    MBRD5H100T4G, NBRD5H100T4G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 100 V Average Rectified Forward Current (Rated VR) TC = 171 °C IF(AV) 5 A Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square Wave, 20 kHz) TC = 171 °C IFRM 10 A Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 105 A Operating Junction and Storage Temperature Range (Note 1) TJ, Tstg ?65 to +175 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ < 1/R JA. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance Junction?to?Case (Note 2) Junction?to?Ambient (Note 2) RJC RJA 1.6 95.8 °C/W 2. When mounted using minimum recommended pad size on FR?4 board. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3) (IF = 5 A, T J = 25 °C) (IF = 5 A, T J = 125 °C) VF 0.71 0.60 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3) (Rated dc Voltage, TJ = 125 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 25 °C) IR 4.5 3.5 mA A 3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0% |
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