参数资料
型号: MBRD5H100T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 5A 100V DPAK
标准包装: 1
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 710mV @ 5A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3.5µA @ 100V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: MBRD5H100T4GOSDKR
MBRD5H100T4G, NBRD5H100T4G
http://onsemi.com
3
IF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.1
1
10
100
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
125°C
150°C
25°C
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.1
1
10
100
IF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
125°C
150°C
25°C
Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Ir, REVERSE CURRENT (mA)
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0102030405060708090100
25°C
125°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0102030405060708090100
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Ir, REVERSE CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
125°C
150°C
25°C
0 20406080100145 150 155 180165 170 175
0
200
400
600
800
1000
1200
TJ
= 25
°C
f = 1 MHz
C, CAPACITANCE (pF)
Figure 5. Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
160
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
8
7
5
6
4
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
3
2
1
0
Figure 6. Current Derating, Case
9
10
Square
dc
RJC
= 1.6
°C/W
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