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参数资料
| 型号： | MBRD835LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| 产品目录绘图： | Rectifier D-Pak Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 510mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.4mA @ 35V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBRD835LT4GOSDKR |
    MBRD835LG, MBRD835LT4G, SBRD8835LG, SBRD8835LT4G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 35 V Average Rectified Forward Current (At Rated VR, TC = 88 °C) IF(AV) 8.0 A Peak Repetitive Forward Current (At Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC = 80 °C) IFRM 16 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 75 A Repetitive Avalanche Current (Current Decaying Linearly to Zero in 1 s, Frequency Limited by TJmax) IAR 2.0 A Storage / Operating Case Temperature Tstg ?65 to +150 °C Operating Junction Temperature (Note 1) TJ ?65 to +150 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ < 1/R JA. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance ? Junction ?to?Case RJC 2.8 °C/W Thermal Resistance ? Junction ?to?Ambient (Note 2) RJA 80 °C/W 2. Rating applies when surface mounted on the minimum pad size recommended. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3) (iF = 8 Amps, T C = +25 °C) (iF = 8 Amps, T C = +125 °C) VF 0.51 0.41 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3) (Rated dc Voltage, TC = +25 °C) (Rated dc Voltage, TC = +100 °C) IR 1.4 35 mA 3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤ 2%. |
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