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参数资料
| 型号： | MBRD835LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| 产品目录绘图： | Rectifier D-Pak Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 510mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.4mA @ 35V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBRD835LT4GOSDKR |
      MBRD835LG, MBRD835LT4G, SBRD8835LG, SBRD8835LT4G http://onsemi.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 1 0.1 0.01 0 0.60.1 0.2 0.3 0.4 0.5 vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) Figure 1. Maximum Forward Voltage Figure 2. Typical Forward Voltage i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (mA) TJ = 125 °C 25°C 10 1 0.1 0.01 0 0.60.1 0.2 0.3 0.4 0.5 VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) 75°C I F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS ) 25°C TJ = 125 °C 10 1 0.1 0.001 035510152025 30 0.01 0 510152025 30 35 VF, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 3. Maximum Reverse Current Figure 4. Typical Reverse Current TJ = 125 °C 25°C 10 1 0.1 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) TJ = 125 °C 75°C 25°C I R , REVERSE CURRENT (mA) I R , REVERSE CURRENT (mA) 0.01 100 1000 100 100°C 100°C |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MBRD835TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:510mV @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.4mA @ 35V 不同?Vr，F 时的电容:600pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
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