参数资料
型号: MBRF10100D
元件分类: 整流器
英文描述: 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: GREEN, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
文件页数: 2/2页
文件大小: 160K
代理商: MBRF10100D
Version:A11
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (MBRF10100D THRU MBRF10150D)
FIG.1 MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING
CURVE
0
2
4
6
8
10
12
0
25
50
75
100
125
150
175
CASE TEMPERATURE (℃)
AVERAG
E
FO
RW
ARD
CURRENT
(
A
)
RESISTER OR
INDUCTIVE LOAD
FIG. 2 MAXIMUM NON-REPETITIVE
FORWARD SURGE CURRENT PER LEG
0
30
60
90
120
150
180
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
PEAK
FO
RW
ARD
SURG
E
CURRENT(
A
)
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
FIG. 4 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF VR (%)
IN
STANTANEO
U
S
REVERSE
CURRENT
(mA
)
TA=25℃
TA=125℃
TA=75℃
FIG. 3 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
0.1
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
FORWARD VOLTAGE (V)
IN
STANTANEO
U
S
FO
RW
ARD
CURRENT
(A
)
MBRF10100D
MBRF10150D-
MBRF10200D
FIG. 6 TYPICAL TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE PER LEG
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T-PULSE DURATION(s)
TRANSI
ENT
THERM
A
L
IM
PEDANCE
(℃
/W
)
FIG. 5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10
100
1000
0.1
1
10
100
REVERSE VOLTAGE (V)
JUNCTI
O
N
CAPACI
T
ANCE
(
pF)
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
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PDF描述
MBRF10200D 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10100 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRF10150CT 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10200CT 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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参数描述
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MBRF10100-E3/45 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 100V 10A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
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MBRF10100-E34W 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology