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参数资料
| 型号： | MBT3946DW1T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | MBT3946DW1T1 |
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3904DW1T1 (NPN)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 15. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 16. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 17. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 18. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
– 0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
COEFFICIENT
(mV/
C)
200
– 1.0
– 1.5
– 2.0
200
°
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB =10
VCE(sat) @ IC/IB =10
VBE @ VCE =1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE(sat)
MBT3904DW1T1 (NPN)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MC-10118BF1-ENY-A | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481 |
| MC141555P1 | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
| MC141556P | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
| MC14536BDWR2 | 1 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER, PDSO16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBT3946DW1T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MBT3946DW1T2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T2G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT42N | 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole |
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