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参数资料
| 型号： | MBT3946DW1T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | MBT3946DW1T1 |
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
9
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL AUDIO SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 25.
f, FREQUENCY (kHz)
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
0.1
Figure 26.
Rg, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
0
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1.0 kHz
IC = 1.0 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 50 mA
MBT3906DW1T1 (PNP)
h PARAMETERS
(VCE = –10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C)
Figure 27. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 28. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
,DC
CURRENT
GAIN
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
Figure 29. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 30. Voltage Feedback Ratio
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
oe
h
,INPUT
IMPEDANCE
(k
OHMS)
ie
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
7
5
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
fe
m
70
30
0.7
7.0
0.7
7.0
3.0
0.7
0.3
0.7
7.0
0.7
7.0
h
,
VOL
T
AGE
FEEDBACK
RA
TIO
(x
10
)
re
–4
MBT3906DW1T1 (PNP)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MC-10118BF1-ENY-A | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481 |
| MC141555P1 | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
| MC141556P | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
| MC14536BDWR2 | 1 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER, PDSO16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBT3946DW1T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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| MBT3946DW1T2G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT42N | 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole |
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