型号: | MBT3946DW1T1 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 9/12页 |
文件大小: | 277K |
代理商: | MBT3946DW1T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MBT3906DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MC-10118BF1-ENY-A | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481 |
MC141555P1 | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
MC141556P | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
MC14536BDWR2 | 1 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER, PDSO16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MBT3946DW1T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MBT3946DW1T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MBT3946DW1T2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MBT3946DW1T2G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MBT42N | 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole |