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参数资料
| 型号： | MC13852EPR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RF LNA 400MHZ-1GHZ 8 MLPD |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 400MHz ~ 1GHz |
| P1dB： | 9.6dBm |
| 增益： | 18.3dB |
| 噪音数据： | 1.2dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 3 V |
| 电流 - 电源： | 5.5mA |
| 测试频率： | 900MHz |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MC13852EPR2DKR |
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Applications Information
Table 6. Typical 434 MHz Evaluation Board Performance (Vcc = 2.75V, TA = 25 ° C) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Noise Figure
High Gain
Bypass
NF
—
—
1.65
8.9
1.95
9.9
dB
Current Draw
High Gain
Bypass
Rbias R1 Value
I CC
—
—
—
—
5.5
4
1.2
6.5
20
—
mA
μA
k Ω
Input Return Loss
High Gain
Bypass
S11
—
—
-6.7
-17
-5.5
-15
dB
Gain
High Gain
Bypass
S21
19
-9.5
20.1
-8.5
—
—
dB
Reverse Isolation
High Gain
Bypass
S12
—
—
-35.5
-8.6
-33.5
-6.5
dB
Output Return Loss
High Gain
Bypass
S22
—
—
-14.5
-20.4
-12
-17
dB
R1 = 1.5 k Ω
Frequency
f
—
434
—
MHz
RF Gain
High Gain
Bypass
G
18.5
-9.4
19.5
-8.4
—
—
dB
Output Third Order Intercept Point
High Gain
Bypass
OIP3
6.8
15.4
7.9
16.5
—
—
dBm
Input Third Order Intercept Point
High Gain
Bypass
Out Ref P1dB
High Gain
In Ref P1dB
High Gain
IIP3
P1dBout
P1dBin
-12.6
23
5.2
-14.3
-11.6
24.9
6.2
-13.3
—
—
—
—
dBm
dBm
dBm
Noise Figure
High Gain
Bypass
NF
—
—
1.6
8.7
1.9
9.7
dB
Current Draw
High Gain
Bypass
Rbias R1 Value
I CC
—
—
—
—
4.4
4
1.5
5.4
20
—
mA
μA
k Ω
MC13852 Advance Information, Rev. 2.0
10
Freescale Semiconductor
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PDF描述 |
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