参数资料
| 型号： | MC33274ADR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP QUAD HI SPEED 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 10 V/µs |
| 增益带宽积： | 24MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 300nA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 2.15mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 37mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 36 V，±1.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1130 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC33274ADR2GOSDKR |
MC33272A, MC33274A, NCV33272A, NCV33274A
http://onsemi.com
10
Figure 32. Percent Overshoot versus
Load Capacitance
Figure 33. Noninverting Amplifier Slew Rate
for the MC33274
Figure 34. Noninverting Amplifier Overshoot
for the MC33274
Figure 35. Small Signal Transient Response
for MC33274
Figure 36. Large Signal Transient Response
for MC33274
CL, LOAD CAPACITANCE (pF)
PERCENT
OVERSHOOT
(%)
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
VCC = +15 V
VEE = -15 V
RL = 2.0 kW
TA = 25°C
t, TIME (2.0
ms/DIV)
t, TIME (1.0
ms/DIV)
t, TIME (2.0
ms/DIV)
V,
OUTPUT
VOL
TAGE
(5.0
V/DIV)
O
t, TIME (2.0 ns/DIV)
VCC = +15 V
VEE = -15 V
AV = +1.0
RL = 2.0 kW
TA = 25°C
CL = 100 pF
CL = f
VCC = +15 V
VEE = -15 V
AV = +1.0
RL = 2.0 kW
CL = 100 pF
TA = 25°C
VCC = +15 V
VEE = -15 V
AV = +1.0
RL = 2.0 kW
CL = 300 pF
TA = 25°C
VCC = +15 V
VEE = -15 V
AV = +1.0
RL = 2.0 kW
CL = 300 pF
TA = 25°C
V,
OUTPUT
VOL
TAGE
(5.0
V/DIV)
O
V,
OUTPUT
VOL
TAGE
(50
mV/DIV)
O
V,
OUTPUT
VOL
TAGE
(5.0
V/DIV)
O
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| PEC18SBDN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 18POS |
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参数描述 |
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| MC33274APG | 功能描述:运算放大器 - 运放 3-36V Quad Low Noise Low VIO Ind. Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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