参数资料
型号: MC33502DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/15页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP DUAL R-R 1V 8SOIC
产品变化通告: Product Obsolescence 29/Oct/2010
标准包装: 1
系列: SMARTMOS™
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 3 V/µs
增益带宽积: 5MHz
电流 - 输入偏压: 0.04pA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 1.65mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1 V ~ 7 V,±0.5 V ~ 3.5 V
工作温度: -40°C ~ 105°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MC33502DR2GOSCT
MC33502
http://onsemi.com
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
25
0
25
50
75
100
125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
55
0
20
40
60
20
40
1.0 M
10 M
f, FREQUENCY (Hz)
10 k
100 k
Figure 21. Slew Rate versus Temperature
55
25
0
25
50
75
100
125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
VCC VEE = 5.0 V
+ Slew Rate
25
0
25
50
75
100
125
55
0
20
40
0
20
40
60
80
100
60
80
100
VCC VEE = 5.0 V
RL = 600 W
CL = 100 pF
10
1.0 k
1.0 M
100
100 k
10 k
0
20
40
60
70
RT, DIFFERENTIAL SOURCE RESISTANCE (W)
Phase Margin
Gain Margin
CL, CAPACITIVE LOAD (pF)
3.0
10
100
1000
3000
30
300
0
10
20
50
60
30
40
VCC VEE = 1.0 V
+ Slew Rate
VCC VEE = 1.0 V
Slew Rate
VCC VEE = 5.0 V
Slew Rate
SR,
SLEW
RA
TE
(V/
s)μ
VCC VEE = 5.0 V
f = 100 kHz
GBW
,GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
VCC VEE
= 1.0 V
VCC VEE = 5.0 V
VCC VEE
= 5.0 V
VCC VEE = 1.0 V
RL = 600 W
CL = 0
TA = 25°C
0
20
40
60
70
Phase Margin
Gain Margin
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
V
,GAIN
MARGIN
(dB)
VCC VEE = 5.0 V
RL = 600 W
CL = 100 pF
TA = 25°C
0
10
20
50
60
30
40
A
V
,GAIN
MARGIN
(dB)
Figure 22. Gain Bandwidth Product
versus Temperature
Figure 23. Voltage Gain and Phase
versus Frequency
Figure 24. Gain and Phase Margin
versus Temperature
Figure 25. Gain and Phase Margin versus
Differential Source Resistance
Figure 26. Feedback Loop Gain and Phase
versus Capacitive Load
VCC VEE = 5.0 V
RL = 600 W
TA = 25°C
50
30
10
Phase Margin
Gain Margin
10
30
50
A
VOL
,GAIN
(dB)
Φ
m,
PHASE
MARGIN
)
Φ
m,
PHASE
MARGIN
)
Φ
m,
PHASE
MARGIN
)
A
V
GAIN
MARGIN
(dB)
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