参数资料
| 型号： | MC33502DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL R-R 1V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SMARTMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 3 V/µs |
| 增益带宽积： | 5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 0.04pA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 1.65mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1 V ~ 7 V，±0.5 V ~ 3.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MC33502DR2GOSCT |
MC33502
http://onsemi.com
2
Figure 1. Simplified Block Diagram
This device contains 98 active transistors per amplifier.
Inputs
Input
Stage
Outputs
Buffer with 0 V
Level Shift
Saturation
Detector
Offset
Voltage
Trim
Base
Current
Boost
Base
Current
Boost
Output
Stage
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage (VCC to VEE)
VS
7.0
V
ESD Protection Voltage at any Pin
Human Body Model
VESD
2000
V
Voltage at Any Device Pin
VDP
VS ±0.3
V
Input Differential Voltage Range
VIDR
VCC to VEE
V
Common Mode Input Voltage Range
VCM
VCC to VEE
V
Output Short Circuit Duration
tS
Note 1
s
Maximum Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
65 to 150
°C
Maximum Power Dissipation
PD
Note 1
mW
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Power dissipation must be considered to ensure maximum junction temperature (TJ) is not exceeded.
2. ESD data available upon request.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MC3403DR2G | IC OPAMP QUAD DIFF INPUT 14SOIC |
| MC34071DR2G | IC OPAMP SINGLE 4.5MHZ HS 8-SOIC |
| MCP6004-I/ST | IC OPAMP QUAD 1.8V 14TSSOP |
| MCP601RT-E/OT | IC OPAMP SNGL 2.7V SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33502DR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
| MC33502P | 功能描述:运算放大器 - 运放 1-7V Dual Rail to RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MC33502PG | 功能描述:运算放大器 - 运放 ANA DUAL MOSFET 1V OP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MC33503SNT1 | 功能描述:运算放大器 - 运放 1-7V Single Rail to RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MC33503SNT1G | 功能描述:运算放大器 - 运放 1-7V Single Rail to Rail -40 to 105 Cel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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