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参数资料
| 型号： | MC34911G5ACR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/92页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYSTEM BASIS CHIP LIN 32-LQFP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 应用： | 系统基础芯片 |
| 电流 - 电源： | 4.5mA |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 27 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-LQFP |
| 供应商设备封装： | 32-LQFP（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MC33911G5AC/MC3433911G5AC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions 5.5 V ?? V SUP ? 18 V, -40°C ? T A ? 125°C for the 33911 and -40°C ? T A ? 85°C for the
34911, unless otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter mean at T A = 25°C under nominal
conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
LIN PHYSICAL LAYER, TRANSCEIVER
(LIN) (39)
Operating Voltage Range
Supply Voltage Range
Voltage Range within which the device is not destroyed
Current Limitation for Driver Dominant State
Driver ON, V BUS = 18 V
V BAT
V SUP
V SUP_NON_OP
I BUS_LIM
8.0
7.0
-0.3
40
90
18
18
40
200
V
V
V
mA
Input Leakage Current at the receiver
I BUS_PAS_DOM
Driver off; V BUS = 0 V; V BAT = 12 V
Leakage Output Current to GND
Driver Off; 8.0 V ?? V BAT ? 18 V; 8.0 V ?? V BUS ? 18 V; V BUS ? V BAT
Control unit disconnected from ground (40)
GND DEVICE = V SUP ; V BAT = 12 V; 0 < V BUS < 18 V
V (41)
V BAT Disconnected; V SUP_DEVICE = GND; 0 V < V BUS < 18
Receiver Dominant State
Receiver Recessive State
Receiver Threshold Center
(V TH_DOM + V TH_REC )/2
Receiver Threshold Hysteresis
(V TH_REC - V TH_DOM )
I BUS_PAS_REC
I BUS_NO_GND
I BUSNO_BAT
V BUSDOM
V BUSREC
V BUS_CNT
V HYS
-1.0
–
-1.0
–
–
0.6
0.475
–
–
–
–
–
–
–
0.5
–
–
20
1.0
100
0.4
–
0.525
0.175
mA
μA
mA
μA
V SUP
V SUP
V SUP
V SUP
Voltage Drop at the serial Diode in pull-up path
VBAT_SHIFT
GND_SHIFT
V SERDIODE
V SHIFT_BAT
V SHIFT_GND
0.4
0
0
1.0
11.5%
11.5%
V
V BAT
V BAT
LIN Wake-up threshold from Stop or Sleep Mode
V BUSWU
5.3
5.8
V
LIN Pull-up Resistor to V SUP
R SLAVE
20
30
60
k ?
Over-temperature Shutdown
T LINSD
140
160
180
°C
Over-temperature Shutdown Hysteresis
T LINSD_HYS
–
10
–
°C
Notes
39. Parameters guaranteed for 7.0 V ?? V SUP ? 18 V.
40.
41.
42.
43.
Loss of local ground must not affect communication in the residual network.
Node has to sustain the current that can flow under this condition. Bus must remain operational under this condition.
This parameter is 100% tested on an Automatic Tester. However, since it has not been monitored during reliability stresses, Freescale
does not guarantee this parameter during the product's life time.
When over-temperature shutdown occurs, the LIN bus goes in recessive state and the flag LINOT in LINSR is set.
33911
Analog Integrated Circuit Device Data ?
Freescale Semiconductor
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PDF描述 |
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| MC34911G5AC | IC SYSTEM BASIS CHIP LIN 32-LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC34912BAC | 功能描述:LIN 收发器 SBC LIN2G - HI END RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作电源电压: 电源电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体:SO-8 |
| MC34912BACR2 | 功能描述:LIN 收发器 SBC LIN2G - HI END RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作电源电压: 电源电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体:SO-8 |
| MC34912BTACR2 | 功能描述:LIN 收发器 SBC LIN 2G RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作电源电压: 电源电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体:SO-8 |
| MC34912G5AC | 功能描述:LIN 收发器 SBCLIN2.5G predriver & CS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作电源电压: 电源电流: 最大工作温度: 封装 / 箱体:SO-8 |
| MC34912G5ACR2 | 功能描述:接口 - 专用 SBCLIN2.5G PREDRIVER&CS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 |
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