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参数资料
| 型号： | MC68HC705F4FB |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, OTPROM, 1.789 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-44 |
| 文件页数： | 61/130页 |
| 文件大小： | 10504K |
| 代理商： | MC68HC705F4FB |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页当前第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页
3-6
MC68HC05F4
MEMORY AND REGISTERS
3
EEPGM — EEPROM programming power enable
1 (set)
–
Programming power connected to the EEPROM array.
0 (clear) –
Programming power switched off.
EEPGM must be set to enable the EEPGM function. When set, EEPGM turns on the charge pump
and enables the programming (or erasing) power to the EEPROM array. When clear, this power is
switched off. This will enable pulsing of the programming voltage to be controlled internally. This
bit can be read at any time, but can only be written to if LATCH = 1, i.e. if LATCH is not set, then
EEPGM cannot be set. Reset clears this bit.
3.5.2
Programming and erasing procedures
To program a byte of EEPROM, set LATCH = CPEN = 1, set ER1 = ER0 = 0, write data to the
desired address and then set EEPGM for a time tEPGM.
There are three possibilities for erasing data from the EEPROM array, depending on how much
data is affected.
To erase a byte of EEPROM, set LATCH = CPEN = 1, set ER1 = 0 and ER0 = 1, write data to
the desired address and then set EEPGM for a time tEBYTE.
To erase a block of EEPROM, set LATCH = CPEN = 1, set ER1 = 1 and ER0 = 0, write data
to any address in the block and then set EEPGM for a time tEBLOCK.
To bulk erase the EEPROM, set LATCH = CPEN = 1, set ER1 = ER0 = 1, write data to any
address in the array and then set EEPGM for a time tEBULK.
To terminate the programming or erase sequence, clear EEPGM, wait for a time tFPV to allow the
programming voltage to fall, and then clear LATCH and CPEN to release the buses. Following
each erase or programming sequence, clear all programming control bits.
3.5.3
Sample EEPROM programming sequence
The following program is an example of the EEPROM programming sequence, using the timer to
implement the required delay and assuming a 1 MHz bus frequency.
TPG
32
05F4Book Page 6 Tuesday, August 5, 1997 1:10 pm
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I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
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c
..
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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