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参数资料
| 型号： | MC68HC805P18MP |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, EEPROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 117/144页 |
| 文件大小： | 1292K |
| 代理商： | MC68HC805P18MP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页当前第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页
Advance Information
MC68HC(8)05P18 — Rev. 2.0
74
EEPROM
MOTOROLA
EEPROM
8.4 Programming/Erasing Procedures
To program a byte of EEPROM, set LATCH = CPEN = 1,
set ER1 = ER0 = 0, write data to the desired address, and then set
EEPGM for a time, tEPGM.
NOTE:
Any bit should be erased before it is programmed. However, if
write/erase cycling is a concern, the following procedure will minimize
the cycling of each bit in each EEPROM byte.
If PB EB = 0, then program the new data over the existing data without
erasing it first. If PB EB
≠ 0, then erase the byte before programming
where PB = byte data to be programmed and
EB = existing EEPROM byte data.
To erase a byte of EEPROM, set LATCH = 1, CPEN = 1, ER1 = 0, and
ER0 = 1, write to the address to be erased and set EEPGM for a time,
tEBYT.
To erase a block of EEPROM, set LATCH = 1, CPEN = 1, ER1 = 1, and
ER0 = 0, write to any address in the block, and set EEPGM for a time,
tEBLOCK.
For a bulk erase, set LATCH = 1, CPEN = 1, ER1 = 1, and ER0 = 1, write
to any address in the array, and set EEPGM for a time, tEBULK.
To terminate the programming or erase sequence, clear EEPGM, delay
for a time tFPV to allow the program voltage to fall, and then clear LATCH
and CPEN to free up the buses. Following each erase or programming
sequence, clear all programming control bits.
NOTE:
Erased/programmed state of the programming EEPROM (128 bytes)
and the user EEPROM (8064 bytes) is opposite. An erased EEPROM
memory location is a logic 0 for user EEPROM, while it is a logic 1 for
programming EEPROM.
F
re
e
sc
a
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S
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o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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