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参数资料
| 型号： | MC9S12DP512MPV |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封装： | LQFP-112 |
| 文件页数： | 3/124页 |
| 文件大小： | 1963K |
| 代理商： | MC9S12DP512MPV |
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MC9S12DP512 Device Guide V01.21
100
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
fNVMOSC
0.5
-
50 1
NOTES:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
fNVMBUS
1
-
MHz
3
D Operating Frequency
fNVMOP
150
-
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
tswpgm
46 2
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP and maximum bus frequency
fbus.
-
74.5 3
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of fNVMOP and bus frequency fbus.
Refer to formulae in Sections Section A.3.1.1 Single Word Programming- Section A.3.1.4 Mass Erasefor guidance.
s
5D Flash Row Programming consecutive word 4
4. Row Programming operations are not applicable to EEPROM
tbwpgm
20.4 (2)
-
31 (3)
s
6D Flash Row Programming Time for 64 Words (4)
tbrpgm
678.4 (2)
-
1035.5 (3)
s
7
P Sector Erase Time
tera
20 5
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP.
-
26.7 (3)
ms
8
P Mass Erase Time
tmass
100 (5)
-
133 (3)
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
tcheck
11 6
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
-
65546 7
7. Maximum time to complete check on an erased block
tcyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
tcheck
11 (6)
-
2058 (7)
tcyc
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DP512VPV | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC9S12DP512CPV | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC9S12DT128EMFU | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| MC9S12DT128ECFU | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| MCF51CN128CGT | 32-BIT, FLASH, 50.33 MHz, MICROCONTROLLER, QCC48 |
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参数描述 |
|---|---|
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| MC9S12DP512MPVE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:16-Bit Microcontroller IC |
| MC9S12DP512VPV | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC9S12DP512VPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU Whale Shark 512K FLASH 25 MHZ RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128BCPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
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