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参数资料
| 型号： | MCF5208CVM166 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 25/46页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 32-BIT 196-MAPBGA |
| 标准包装： | 126 |
| 系列： | MCF520x |
| 核心处理器： | Coldfire V2 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 166.67MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，以太网，I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | DMA，WDT |
| 输入/输出数： | 50 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 16K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.4 V ~ 3.6 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 196-LBGA |
| 包装： | 托盘 |
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Electrical Characteristics
MCF5208 ColdFire Microprocessor Data Sheet, Rev. 3
Freescale Semiconductor
31
5.8.2
DDR SDRAM AC Timing Characteristics
When using the SDRAM controller in DDR mode, the following timing numbers must be followed to
properly latch or drive data onto the memory bus. All timing numbers are relative to the four DQS byte
lanes. The following timing numbers are subject to change at anytime, and are only provided to aid in early
board design. Please contact your local Freescale representative if questions develop.
Table 13. DDR Timing Specifications
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
—
Frequency of Operation
—
60
83.33
Mhz
1
NOTES:
1
The frequency of operation is 2x or 4x the FB_CLK frequency of operation. FlexBus and SDRAM clock operate at the same
frequency as the internal bus clock.
DD1
Clock Period (SD_CLK)
tDDCK
12
16.67
ns
2
SD_CLK is one SDRAM clock in (ns).
DD2
Pulse Width High
tDDCKH
0.45
0.55
SD_CLK
3
Pulse width high plus pulse width low cannot exceed min and max clock period.
DD3
Pulse Width Low
tDDCKL
0.45
0.55
SD_CLK
3
DD4
Address, SD_CKE, SD_CAS, SD_RAS, SD_WE,
SD_CS[1:0] - Output Valid
tSDCHACV
—0.5
× SD_CLK
+1.0
ns
4
4 Command output valid should be 1/2 the memory bus clock (SD_CLK) plus some minor adjustments for process, temperature, and
voltage variations.
DD5
Address, SD_CKE, SD_CAS, SD_RAS, SD_WE,
SD_CS[1:0] - Output Hold
tSDCHACI
2.0
—
ns
—
DD6
Write Command to first DQS Latching Transition
tCMDVDQ
1.25
SD_CLK
—
DD7
Data and Data Mask Output Setup (DQ-->DQS)
Relative to DQS (DDR Write Mode)
tDQDMV
1.5
—
ns
5
6
5
This specification relates to the required input setup time of today’s DDR memories. The device’s output setup should be larger
than the input setup of the DDR memories. If it is not larger, the input setup on the memory is in violation.
MEM_DATA[31:24] is relative to MEM_DQS[3], MEM_DATA[23:16] is relative to MEM_DQS[2], MEM_DATA[15:8] is relative to
MEM_DQS[1], and MEM_[7:0] is relative MEM_DQS[0].
6
The first data beat is valid before the first rising edge of DQS and after the DQS write preamble. The remaining data beats are valid
for each subsequent DQS edge.
DD8
Data and Data Mask Output Hold (DQS-->DQ)
Relative to DQS (DDR Write Mode)
tDQDMI
1.0
—
ns
7
DD9
Input Data Skew Relative to DQS (Input Setup)
tDVDQ
—1
ns
8
DD10
Input Data Hold Relative to DQS.
tDIDQ
0.25
× SD_CLK
+0.5ns
—ns
9
DD11
DQS falling edge from SDCLK rising (output hold time)
tDQLSDCH
0.5
—
ns
—
DD12
DQS input read preamble width (tRPRE)tDQRPRE
0.9
1.1
SD_CLK
—
DD13
DQS input read postamble width (tRPST)tDQRPST
0.4
0.6
SD_CLK
—
DD14
DQS output write preamble width (tWPRE)tDQWPRE
0.25
—
SD_CLK
—
DD15
DQS output write postamble width (tWPST)tDQWPST
0.4
0.6
SD_CLK
—
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