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参数资料
| 型号： | MCF52256VN80J |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 22/46页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 256KB FLASH 144MAPBGA |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | MCF5225x |
| 核心处理器： | Coldfire V2 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，QSPI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 96 |
| 程序存储器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 32K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LBGA |
| 包装： | 托盘 |
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MCF52259 ColdFire Microcontroller, Rev. 5
Electrical Characteristics
Freescale
29
2.5
EzPort Electrical Specifications
2.6
ESD Protection
2 Reprogramming of a flash memory array block prior to erase is not required.
Table 11. EzPort Electrical Specifications
Name
Characteristic
Min
Max
Unit
EP1
EPCK frequency of operation (all commands except READ)
—
fsys / 2
MHz
EP1a
EPCK frequency of operation (READ command)
—
fsys / 8
MHz
EP2
EPCS_b negation to next EPCS_b assertion
2 × Tcyc
—ns
EP3
EPCS_B input valid to EPCK high (setup)
5
—
ns
EP4
EPCK high to EPCS_B input invalid (hold)
5
—
ns
EP5
EPD input valid to EPCK high (setup)
2
—
ns
EP6
EPCK high to EPD input invalid (hold)
5
—
ns
EP7
EPCK low to EPQ output valid (out setup)
—
12
ns
EP8
EPCK low to EPQ output invalid (out hold)
0
—
ns
EP9
EPCS_B negation to EPQ tri-state
—
12
ns
Table 12. ESD Protection Characteristics1, 2
1 All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q100 Stress Test Qualification for
Automotive Grade Integrated Circuits.
2 A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer
meets the device specification requirements. Complete DC parametric and functional
testing is performed per applicable device specification at room temperature followed by
hot temperature, unless specified otherwise in the device specification.
Characteristics
Symbol
Value
Units
ESD target for Human Body Model
HBM
2000
V
ESD target for Machine Model
MM
200
V
HBM circuit description
Rseries
1500
C
100
pF
MM circuit description
Rseries
0
C
200
pF
Number of pulses per pin (HBM)
Positive pulses
Negative pulses
—
1
—
Number of pulses per pin (MM)
Positive pulses
Negative pulses
—
3
—
Interval of pulses
—
1
sec
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PDF描述 |
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参数描述 |
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