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参数资料
| 型号： | MCH3377-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 83 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 3-MCPH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1169-6 |
MCH3377
--3.0
ID -- VDS
--5
ID -- VGS
VDS= --10V
--2.5
--2.0
--4
--1.5
--1.5V
--3
--2
--1.0
--0.5
--1
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
0
300
0
--0.1
VGS= --1.0V
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13008
Ta=25°C
0
250
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--2.5
IT13009
250
200
VGS
--0.2A
--1.8V
I = --
2.5V, D
--1.5A
,I =
200
150
100
ID= --0.2A
--1.0A
--1.5A
150
100
=
V GS=
V GS=
, I D=
--
--4.5V D
1.0A
50
50
? y fs ? -- ID
5
0
10
7
5
0
--1
--2 --3 --4 --5 --6 --7 --8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT13010
VDS= --10V
0
--60
--10
7
3
2
--40
--20
0 20 40 60 80 100
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
120 140 160
IT13011
VGS=0V
25
--
25
5
5
3
2
1.0
7
5
Ta
=
° C
75
° C
° C
--1.0
7
3
2
--0.1
7
3
2
SW Time -- ID
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
2
0.1
--0.01
2
100
7
5
2
3
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
td (off)
tf
2 3 5 7 --10
IT13012
VDD= --10V
VGS= --4V
--0.01
7
3
2
--0.001
1000
7
5
3
2
0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13013
Ciss
f=1MHz
3
2
10
7
tr
td(on)
100
7
5
3
C o ss
Crss
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0 2
Drain Current, ID -- A
3
5
7 --10
IT13014
2
0
--2
--4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--18 --20
IT13015
No. A0957-3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3377-TL-H | MOSFET P-CH 3A 20V MCPH3 |
| MCH3382-TL-H | MOSFET P-CH 2A 12V MCPH3 |
| MCH3383-TL-H | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3 |
| MCH3474-TL-H | MOSFET N-CH 4A 30V MCPH3 |
| MCH3475-TL-E | MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3377-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3377-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 1.8V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
| MCH3382 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low Votage Drive Switching Device Applications |
| MCH3382-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3383 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low Voltage Drive Switching Device Applications |
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