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参数资料
| 型号： | MCH3382-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 2A 12V MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 198 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170 pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH3382
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--12V, VGS=0V
VGS=±7.2V, VDS=0V
--12
--10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--6V, ID=--1mA
VDS=--6V, ID=--1A
ID=--1A, VGS=--4.5V
--0.3
3
152
--0.9
198
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--0.5A, VGS=--2.5V
ID=--0.3A, VGS=--1.8V
ID=--0.1A, VGS=--1.2V
VDS=--6V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--2A
IS=--2A, VGS=0V
212
286
520
170
50
40
4.8
11
23
14
2.3
0.40
0.46
--0.85
297
429
1040
--1.2
m Ω
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--4.5V
VIN
VIN
VDD= --6V
ID= --1A
RL=6 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
MCH3382
Ordering Information
Device
MCH3382-TL-H
Package
MCPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1766-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCH3401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH3402 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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