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参数资料
| 型号： | MCH3382-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 2A 12V MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 198 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170 pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH3382
mm
Outline Drawing
MCH3382-TL-H
Mass (g) Unit
0.007
* For reference
Land Pattern Example
0.4
0.65 0.65
Unit: mm
No. A1766-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3383-TL-H | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3 |
| MCH3474-TL-H | MOSFET N-CH 4A 30V MCPH3 |
| MCH3475-TL-E | MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 |
| MCH3476-TL-H | MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3 |
| MCH3477-TL-E | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3383 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low Voltage Drive Switching Device Applications |
| MCH3383_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low Voltage Drive Switching Device Applications |
| MCH3383-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH3402 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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