参数资料
型号: MCH3477-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 38 毫欧 @ 2A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 410pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 3-MCPH
包装: 带卷 (TR)
MCH3477
4.5
ID -- VDS
4.5
ID -- VGS
VDS=10V
4.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.8V
1.5V
VGS=1.2V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120
110
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13836
Ta=25°C
110
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13837
100
90
=0.5
=1.8
=1.0
=2.5
2.0A
=4.5V
90
80
70
60
50
40
ID=0.5A
1.0A
2.0A
80
70
60
50
40
A
V, I D
VGS
V, I D
VGS
, I D=
V GS
A
30
20
10
0
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT13838
7
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13839
5
VDS=10V
5
VGS=0V
3
3
2
-25
=-
° C
° C
2
1.0
7
5
Ta
25
° C
75
1.0
7
5
3
2
0.1
7
3
2
0.1
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13840
VDD=10V
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13841
f=1MHz
3
VGS=4.5V
7
2
100
7
5
3
Ciss
5
3
2
td(off)
tf
2
10
7
td(on)
tr
100
7
C os s
C rs s
5
3
2
5
3
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT13842
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13843
No. A1260-3/7
相关PDF资料
PDF描述
MCH3477-TL-H MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3
MCH3479-TL-H MOSFET N-CH 3.5A 20V MCPH3
MCH3481-TL-H MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3
MCH3484-TL-H MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3
MCH6321-TL-E MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6
相关代理商/技术参数
参数描述
MCH3477-TL-H 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH3478 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH3478_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH3478-S-TL-H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH3478-TL-H 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube