- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录476 > MCH3477-TL-E (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MCH3477-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 3-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH3477
mm
Outline Drawing
MCH3477-TL-H
Mass (g) Unit
0.007
* For reference
Land Pattern Example
0.4
0.65 0.65
Unit: mm
No. A1260-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3477-TL-H | MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3 |
| MCH3479-TL-H | MOSFET N-CH 3.5A 20V MCPH3 |
| MCH3481-TL-H | MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3 |
| MCH3484-TL-H | MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3 |
| MCH6321-TL-E | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3477-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3478 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3478_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3478-S-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3478-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。