参数资料
型号: MCH5837
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: MCPH5, 5 PIN
文件页数: 3/6页
文件大小: 65K
代理商: MCH5837
MCH5837
No. A0781-3/6
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=1A
RL=10Ω
VDD=10V
VOUT
MCH5837
VIN
4V
0V
VIN
Duty≤10%
50Ω
100Ω
10Ω
--5V
trr
100mA
10mA
10μs
Switching Time Test Circuit
trr Test Circuit
[MOSFET]
[SBD]
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
ID -- VDS
ID -- VGS
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0.5
1.0
2.0
0.2
1.5
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT10328
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT10329
8.0V
4.0V
3.0V
2.5V
1.8V
VGS=1.0V
VDS=10V
--
2
5°
C
Ta
=
25
°C
75
°C
04
8
26
IT10330
50
100
150
200
250
300
0
Ta=25
°C
ID=0.1A
1.0A
0.5A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
RDS(on) -- VGS
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT10340
50
100
150
200
250
300
350
0
ID=1.0A,
VGS
=4.0V
I D
=0.1A,
V GS
=1.8V
ID=0.5A,
VGS
=2.5V
相关PDF资料
PDF描述
MCH5837 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH5908H 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
MCH5908 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
MCH5908 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
MCH6001 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY MCPH5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
MCH5839-TL-H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
MCH5908 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications
MCH5908_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifi er, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications
MCH5908G-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW