- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95923 > MCH5837 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCH5837 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH5, 5 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | MCH5837 |
MCH5837
No. A0781-5/6
C -- VR
IR -- VR
PF(AV) -- IO
IF -- VF
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Reverse Voltage, VR -- V
Reverse
Current,
I
R
-
μ
A
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
Reverse Voltage, VR -- V
Interterminal
Capacitance,
C
--
pF
0
100000
100
1000
10000
10
1.0
0.1
0.01
15
510
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.7
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
1.2
1.5
1.4
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0
0.01
0.001
0.3
0.4
0.5
0.1
0.2
0.1
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
Ta=125°C
25
°C
--25°C
50
°C
75
°C
100
°C
IT07150
IT07152
IT07153
IT07151
(1)
(2) (4) (3)
180
°
360
°
θ
360
°
Rectangular wave
Sine wave
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Ta=125
°C
100
°C
--25
°C
75
°C
50
°C
25
°C
2
100
10
2
3
5
7
23
5
7
1.0
0.1
23
5
7
10
2
f=1MHz
IS
20ms
t
7 0.01
23
7 0.1
0
52
3
7
1.0
52
3
3.0
3.5
2.0
1.0
2.5
1.5
0.5
Time, t -- s
Sur
ge
Forward
Current,
I
FSM
(Peak)
--
A
ID00338
IFSM -- t
Current waveform 50Hz sine wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH5837 | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH5908H | 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MCH5908 | 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MCH5908 | 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MCH6001 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH5837-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY MCPH5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MCH5839-TL-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES |
| MCH5908 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications |
| MCH5908_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifi er, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications |
| MCH5908G-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。