- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95924 > MCH6412 5 A, 30 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCH6412 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5 A, 30 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | MCH6412 |
MCH6412
No. A0448-3/4
0246
3
15
7
0
1.0
2.0
3.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
IT11188
10
7
5
3
2
5
3
2
100
IT11186
IT11184
0.1
1.0
23
5
7
10
23
5
7
010
20
515
25
30
100
7
3
1000
7
5
3
2
5
IT11187
IT11185
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VGS=0V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
td(on)
td(off)
tf
t r
VDD=15V
VGS=4V
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
VDS=10V
ID=5A
0.01
0.1
27
35
2
10
27
35
1.0
7
35
1.0
7
5
3
2
3
2
10
7
5
3
VDS=10V
75°
C
Ta=
--25
°C
25°
C
10
7
5
3
VGS -- Qg
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IS -- VSD
yfs -- ID
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Drain Current, ID -- A
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
1.0
0.1
2
3
5
7
0.01
10
1.0
10
0.1
0.01
23
5 7
23
5 7
2
3
5
72 3
IT11231
≤10s
IDP=20A
ID=5A
100
s
1ms
10ms
100ms
Operation in this
area is limited by RDS(on).
DC
operation
(T
a=25
°C)
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)
0
20
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
1.4
1.5
1.2
1.6
1.0
60
80
100
120
140
160
IT111232
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
Mounted
on
a
ceramic
board
(900mm
2!
0.8mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6413 | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6413 | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6415 | 4000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6421 | 5.5 A, 20 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6421 | 5.5 A, 20 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6412-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MCH6415-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 20V 4A lbogU Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 4A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH6421 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6421_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6421-TL-E | 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。