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参数资料
| 型号： | MCH6437-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6437
7
6
ID -- VDS
Ta=25 ° C
10
9
VDS=10V
ID -- VGS
8
5
4
3
2
1.5V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
VGS=1.0V
0.8 0.9
1.0
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V, I D
=1.8
V, I D
=2.5
I =4
V GS=
60
55
50
45
40
35
30
25
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=1A
2A
4A
IT15716
Ta=25°C
70
60
50
40
30
20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
=1A
VGS
=2A
VGS A
4.5V, D
IT15717
20
15
10
10
0
2
4
6
8
10
12
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT15718
VDS=10V
2
10
7
5
3
2
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15719
75 °
3
2
Ta
=
--2
5 ° C
C
1.0
7
5
3
2
1.0
7
25
° C
0.1
7
5
5
3
2
0.1
3
2
0.01
7
5
3
2
7
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15720
VDD=10V
VGS=4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15721
f=1MHz
100
td(off)
1000
7
7
Ciss
5
3
2
tf
tr
5
3
2
Coss
10
7
td(on)
100
7
Crss
5
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT15722
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15723
No. A1776-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCH6445 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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