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参数资料
| 型号： | MCH6444-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 2.5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 98 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 186pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6444
Taping Speci ? cation
MCH6444-TL-H
No.8935-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6 |
| MCH6448-TL-H | MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6 |
| MCH6602-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6604-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| MCH6613-TL-E | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6445 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6445-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MCH6445-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4A 60V 4V DRIVE MCPH6 - Tape and Reel |
| MCH6448 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET Low-Voltage Driver Switching Device Applications |
| MCH6448_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Voltage Driver Switching Device Applications |
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