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参数资料
| 型号： | MCH6660-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A，1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 136 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 128pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6660
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
PD -- Ta [Nch/Pch]
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm) 1unit
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16651
No. A1993-6/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6662-TL-H | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
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| MCP2030A-I/P | IC KEYLESS ENTRY AFE 3CH 14PDIP |
| MCP2030DM-TPR | BOARD DEMO PICTAIL MCP2030 |
| MCP9502PT-095E/OT | IC TEMP SWITCH PROGR P-P SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6662 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6662-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6663 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6663_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6663-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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