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参数资料
| 型号： | MCHC11F1CFNE3R |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 108/158页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC |
| 标准包装： | 250 |
| 系列： | HC11 |
| 核心处理器： | HC11 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 3MHz |
| 连通性： | SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 30 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| EEPROM 大小： | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 数据转换器： | A/D 8x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页当前第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页
OPERATING MODES AND ON-CHIP MEMORY
TECHNICAL DATA
4-15
Recall that zeros must be erased by a separate erase operation before programming.
The following example of how to program an EEPROM byte assumes that the appro-
priate bits in BPROT have been cleared and the data to be programmed is present in
accumulator A.
4.4.1.2 EEPROM Bulk Erase
To erase the EEPROM, ensure that the proper bits of the BPROT register are cleared,
then complete the following steps using the PPROG register:
1. Write to PPROG with the ERASE, EELAT, and appropriate BYTE and ROW
bits set.
2. Write to the appropriate EEPROM address with any data. Row erase only re-
quires a write to any location in the row. Bulk erase is accomplished by writing
to any location in the array.
3. Write to PPROG with ERASE, EELAT, EEPGM, and the appropriate BYTE and
ROW bits set.
4. Delay for 10 ms or more, as appropriate.
5. Clear the EEPGM bit in PPROG to turn off the high voltage.
6. Return to step 1 for next byte or row or proceed to step 7.
7. Clear the PPROG register to reconfigure the EEPROM address and data buses
for normal operation.
The following is an example of how to bulk erase the 512-byte EEPROM. The CONFIG
register is not affected in this example. When bulk erasing the CONFIG register, CON-
FIG and the 512-byte array are all erased.
4.4.1.3 EEPROM Row Erase
The following example shows how to perform a fast erase of large sections of EE-
PROM and assumes that index register X contains the address of a location in the de-
sired row.
PROG
LDAB
#$02
EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set EELAT bit
STAA
$FE00
Store data to EEPROM address
LDAB
#$03
EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on programming voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
BULKE
LDAB
#$06
ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set EELAT bit
STAB
$FE00
Store any data to any EEPROM address
LDAB
#$07
EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on programming voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
F
re
e
sc
a
le
S
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m
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o
n
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c
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r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
| MCHC11F1CFNE4 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC11F1CFNE4R | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC11F1CFNE5 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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| MCHC11F1VFNE3 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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