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参数资料
| 型号： | MCHC11F1CFNE3R |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 110/158页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC |
| 标准包装： | 250 |
| 系列： | HC11 |
| 核心处理器： | HC11 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 3MHz |
| 连通性： | SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 30 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| EEPROM 大小： | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 数据转换器： | A/D 8x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页当前第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页
OPERATING MODES AND ON-CHIP MEMORY
TECHNICAL DATA
4-17
ERASE — Erase/Normal Control for EEPROM
Can be read or written any time.
0 = Normal read or program mode
1 = Erase mode
EELAT — EEPROM Latch Control
Can be read or written any time. When EELAT equals one, writes to EEPROM cause
address and data to be latched.
0 = EEPROM address and data bus configured for normal reads
1 = EEPROM address and data bus configured for programming or erasing
EEPGM — EEPROM Program Command
Can be read any time. Can only be written while EELAT = 1.
0 = Program or erase voltage switched off to EEPROM array
1 = Program or erase voltage switched on to EEPROM array
4.4.3 CONFIG Register Programming
Because the CONFIG register is implemented with EEPROM cells, use EEPROM pro-
cedures to erase and program this register. The procedure for programming is the
same as for programming a byte in the EEPROM array, except that the CONFIG reg-
ister address is used. CONFIG can be programmed or erased (including byte erase)
while the MCU is operating in any mode, provided that PTCON in BPROT is clear. To
change the value in the CONFIG register, complete the following procedure. Do not
initiate a reset until the procedure is complete. The new value will not take effect until
after the next reset sequence.
1. Erase the CONFIG register.
2. Program the new value to the CONFIG address.
3. Initiate reset.
P indicates a previously programmed bit. P(L) indicates that the bit resets to the logic
level held in the EEPROM bit prior to reset, but the function of COP is controlled by
DISR bit in TEST1 register.
Table 4-7 EEPROM Erase Mode Control
BYTE
ROW
Action
0
Bulk Erase (All 512 Bytes)
0
1
Row Erase (16 Bytes)
1
0
Byte Erase
1
Byte Erase
CONFIG — System Configuration Register
$103F
Bit 7
654321
Bit 0
EE3
EE2
EE1
EE0
—
NOCOP
—
EEON
RESET:
11111
P
11
Single Chip
11111
P(L)
1
Bootstrap
P
P1P1P
Expanded
PPPP
1
P(L)
1
0
Special Test
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MCHC11F1CFNE4 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC11F1CFNE4R | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC11F1CFNE5 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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