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参数资料
| 型号： | MCHC11F1VFNE3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 55/158页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 系列： | HC11 |
| 核心处理器： | HC11 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 3MHz |
| 连通性： | SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 30 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| EEPROM 大小： | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 数据转换器： | A/D 8x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页当前第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MC68HC11F1
A-14
TECHNICAL DATA
NOTES:
1. All timing is shown with respect to 20% VDD and 70% VDD, unless otherwise noted.
2. Signal production depends on software.
3. Assumes 200 pF load on all SPI pins.
Table A-8 Serial Peripheral Interface Timing
VDD = 5.0 Vdc ± 5%, VSS = 0 Vdc, TA = TL to TH
Num
Characteristic
Symbol
2.0 MHz
3.0 MHz
4.0 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Operating Frequency
Master
Slave
fop(m)
fop(s)
dc
1.0
2.0
dc
1.5
3.0
dc
2.0
4.0
MHz
1
Cycle Time
Master
Slave
tcyc(m)
tcyc(s)
2.0
500
—
2.0
333
—
2.0
250
—
tcyc
ns
2
Enable Lead Time
Master
(Note 2)
Slave
tlead(m)
tlead(s)
—
250
—
240
—
200
—
ns
3
Enable Lag Time
Master
(Note 2)
Slave
tlag(m)
tlag(s)
—
250
—
240
—
200
—
ns
4
Clock (SCK) High Time
Master
Slave
tw(SCKH)m
tw(SCKH)s
340
190
—
227
127
—
130
85
—
ns
5
Clock (SCK) Low Time
Master
Slave
tw(SCKL)m
tw(SCKL)s
340
190
—
227
127
—
130
85
—
ns
6
Data Setup Time (Inputs)
Master
Slave
tsu(m)
tsu(s)
100
—
100
—
100
—
ns
7
Data Hold Time (Inputs)
Master
Slave
th(m)
th(s)
100
—
100
—
100
—
ns
8
Access Time (Time to Data Active from
High-Impedance State)
Slave
ta
0
120
0
120
0
120
ns
9
Disable Time (Hold Time to High-Impedance State)
Slave
tdis
—
240
—
167
—
125
ns
10
Data Valid (After Enable Edge)
(Note 3)
tv(s)
—
240
—
167
—
125
ns
11
Data Hold Time (Outputs) (After Enable Edge)
tho
0—0—0—
ns
12
Rise Time (20% VDD to 70% VDD, CL = 200 pF)
SPI Outputs (SCK, MOSI, and MISO)
SPI Inputs (SCK, MOSI, MISO, and SS)
trm
trs
—
100
2.0
—
100
2.0
—
100
2.0
ns
s
13
Fall Time (70% VDD to 20% VDD, CL = 200 pF)
SPI Outputs (SCK, MOSI, and MISO)
SPI Inputs (SCK, MOSI, MISO, and SS)
tfm
tfs
—
100
2.0
—
100
2.0
—
100
2.0
ns
s
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述 |
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