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参数资料
| 型号： | MCIMX251AJM4 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 54/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU IMX25 AUTO 400MAPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX25 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 128 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| RAM 容量： | 144K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.15 V ~ 1.52 V |
| 数据转换器： | A/D 3x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX25 Applications Processor for Automotive Products, Rev. 10
20
Freescale Semiconductor
3.4
Thermal Characteristics
The thermal resistance characteristics for the device are given in Table 16. These values are measured
under the following conditions:
Two-layer substrate
Substrate solder mask thickness: 0.025 mm
Substrate metal thicknesses: 0.016 mm
Substrate core thickness: 0.200 mm
Core through I.D: 0.118 mm, Core through plating 0.016 mm.
Flag: Trace style with ground balls under the die connected to the flag
Die Attach: 0.033 mm non-conductive die attach, k = 0.3 W/m K
Mold compound: Generic mold compound; k = 0.9 W/m K
3.5
I/O DC Parameters
This section includes the DC parameters of the following I/O types:
DDR I/O: Mobile DDR (mDDR), double data rate (DDR2), or synchronous dynamic random
access memory (SDRAM)
General purpose I/O (GPIO)
Table 16. Thermal Resistance Data
Rating
Condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient1 natural convection
1 Junction-to-ambient thermal resistance determined per JEDC JESD51-3 and JESD51-6. Thermal test board meets JEDEC
specification for this package.
Single layer board (1s)
ReJA
55
°C/W
Junction to ambient1 natural convection
Four layer board (2s2p)
ReJA
33
°C/W
Junction to ambient1 (@200 ft/min)
Single layer board (1s)
ReJMA
46
°C/W
Junction to ambient1 (@200 ft/min)
Four layer board (2s2p)
ReJMA
29
°C/W
Junction to boards2
2 Junction-to-board thermal resistance determined per JEDC JESD51-8. Thermal test board meets JEDEC specification for
this package.
—ReJB
22
°C/W
Junction to case (top)3
3 Junction-to-case at the top of the package determined using MIL-STD 883 Method 1012.1. The cold plate temperature is
used for the case temperature. Reported value includes the thermal resistance of the interface layer.
—ReJCtop
13
°C/W
Junction to package top4
4 Thermal characterization parameter indicating the temperature difference between the package top and the junction
temperature per JEDEC JESD51-2. When Greek letters are not available, this thermal characterization parameter is written
as Psi-JT.
Natural convection
ΨJT
2°C/W
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PDF描述 |
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参数描述 |
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