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参数资料
| 型号： | MCIMX253CJM4 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA400 |
| 封装： | 17 X 17 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MAPBGA-400 |
| 文件页数： | 66/154页 |
| 文件大小： | 1498K |
| 代理商： | MCIMX253CJM4 |
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i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 8
Freescale Semiconductor
19
The method for obtaining the maximum current is as follows:
1. Measure the worst case power consumption on individual rails using directed test on i.MX25.
2. Correlate the worst case power consumption power measurements with the worst case power
consumption simulations.
3. Combine common voltage rails based on the power supply sequencing requirements (add the
worst case power consumption on each rail within some test cases from several test cases run, to
maximize different rails in the power group).
4. Guard the worst case numbers for temperature and process variation.
5. The sum of individual rails is greater than the real world power consumption, since a real
system does not typically maximize the power consumption on all peripherals
simultaneously.
6. BATT_VDD current is measured when the system is in reduced power mode maintaining the
RTC. When the system is in run mode, QVDD is used to supply the DryIce, so this current
becomes negligible. Refer to Table 12, for more details on the power modes.
NOTE
The values mentioned above should not be taken as a typical max run data
for specific use cases. These values are Absolute MAX data. Freescale
recommends that the system current measurements are taken with
customer-specific use-cases to reflect normal operating conditions in the
end system
3.4
Thermal Characteristics
The thermal resistance characteristics for the device are given in Table 16. These values are measured
under the following conditions:
Two-layer substrate
Substrate solder mask thickness: 0.025 mm
Substrate metal thicknesses: 0.016 mm
Substrate core thickness: 0.200 mm
Core through I.D: 0.118 mm, Core through plating 0.016 mm.
Flag: Trace style with ground balls under the die connected to the flag
USBPHY1_VDDA_BIAS, USBPHY1_UPLL_VDD,
USBPHY1_VDDA, USBPHY2_VDD,
OSC24M_VDD, NVCC_ADC
3.3
40
FUSE_VDD1
3.6
62
BATT_VDD
1.55
0.030
1 The FUSE_VDD rail is connected to ground. it only needs a voltage if the system fuse burning is needed.
Table 15. Power Consumption (continued)
Power Supply
Voltage (V)
Max Current (mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCIMX253DJM4A | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA400 |
| MCIMX257CJN4A | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA347 |
| MCIMX253CJM4A | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA400 |
| MCIMX258CVM4 | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA400 |
| MD80C154-36/883D | 8-BIT, 36 MHz, MICROCONTROLLER, CDIP40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MCIMX253CVM4 | 功能描述:处理器 - 专门应用 SENNA IMX25 1.1 INDUSTRIAL RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX253DJM4 | 功能描述:处理器 - 专门应用 SENNA IMX25 COMM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX253DJM4A | 功能描述:处理器 - 专门应用 IMX25 1.2 COMM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX253DVM4 | 功能描述:IC MPU I.MX25 COMM 400MAPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:i.MX25 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:260 系列:73S12xx 核心处理器:80515 芯体尺寸:8-位 速度:24MHz 连通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外围设备:LED，POR，WDT 输入/输出数:9 程序存储器容量:64KB（64K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-VFQFN 裸露焊盘 包装:管件 |
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