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参数资料
| 型号： | MCIMX27MOP4A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 91/152页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX27 19X19 473MAPBGA |
| 标准包装： | 84 |
| 系列： | i.MX27 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 45K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.38 V ~ 1.52 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 473-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页当前第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页
i.MX27 and i.MX27L Data Sheet, Rev. 1.8
Freescale Semiconductor
43
Electrical Characteristics
4.1.3
Test Conditions and Recommended Settings
Unless specified, AC timing parameters are specified for 15 pF loading on i.MX27/iMX27L pads. Drive
strength has been kept at default/reset values for testing. EMI timing has been verified with high drive
strength setting and 25 pF loads. SDHC timing has also been verified with high drive strength setting.
Unless otherwise noted, AC/DC parameters are guaranteed at operating conditions shown in Table 7.
4.2
Module-Level Electrical Specifications
This section contains the i.MX27/iMX27L electrical information including timing specifications, arranged
in alphabetical order by module name.
4.2.1
Pads IO (PADIO) Electricals
4.2.1.1
DC Electrical Characteristics
The over-operating characteristics appear in Table 12 for GPIO pads and Table 13 for DDR (Double Data
Rate) pads (unless otherwise noted).
3
Sleep Current
QVDD = 1.2 V.
NVDD = 1.75 V.
Both PLLs are off.
FPM is off.
ARM well bias is enabled.
32 kHz oscillator is on.
26 MHz oscillator is off.
All the modules are off.
TA = 25° C.
IddSLEEP
0.9
3.5
mA
4
Power Gate
specific values.
All other VDD = 0 V
TA = 25° C.
IddPG
50
216
A
Table 12. GPIO Pads DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typical
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = -1 mA
NVDD -0.15
—
V
IOH = specified Drive
0.8*NVDD
——
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.15
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVDD
V
Table 11. Current Consumption (continued)
ID
Parameter
Conditions
Symbol
Typical
Max
Units
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PDF描述 |
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参数描述 |
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