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参数资料
| 型号： | MCIMX355AVM4BR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 61/147页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX35 400MAPBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | i.MX35 |
| 核心处理器： | ARM11 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 96 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.22 V ~ 1.47 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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i.MX35 Applications Processors for Automotive Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
20
The method for obtaining max current is as follows:
1. Measure worst case power consumption on individual rails using directed test on i.MX35.
2. Correlate worst case power consumption power measurements with worst case power
consumption simulations.
3. Combine common voltage rails based on power supply sequencing requirements
4. Guard band worst case numbers for temperature and process variation. Guard band is based on
process data and correlated with actual data measured on i.MX35.
5. The sum of individual rails is greater than real world power consumption, as a real system does
not typically maximize power consumption on all peripherals simultaneously.
4.6
Thermal Characteristics
The thermal resistance characteristics for the device are given in Table 12. These values were measured
under the following conditions:
Two-layer substrate
Substrate solder mask thickness: 0.025 mm
Substrate metal thicknesses: 0.016 mm
Substrate core thickness: 0.200 mm
Core via I.D: 0.168 mm, Core via plating 0.016 mm.
Full array map design, but nearly all balls under die are power or ground.
Die Attach: 0.033 mm non-conductive die attach, k = 0.3 W/m K
Mold compound: k = 0.9 W/m K
Table 11. Power Consumption
Power Supply
Voltage (V)
Max Current (mA)
QVCC
1.47
400
MVDD, PVDD
1.65
20
NVCC_EMI1, NVCC_EMI2, NVCC_EMI3, NVCC_LCDC, NVCC_NFC
1.9
90
FUSE_VDD1
1 This rail is connected to ground; it only needs a voltage if eFuses are to be programmed. FUSE_VDD should be supplied by
following the power up sequence given in Section 4.3.1, “Powering Up.”
3.6
62
NVCC_MISC, NVCC_CSI, NVCC_SDIO, NVCC_CRM, NVCC_ATA, NVCC_MLB,
NVCC_JTAG
3.6
60
OSC24M_VDD, OSC_AUDIO_VDD, PHY1_VDDA, PHY2_VDD,
USBPHY1_UPLLVDD, USBPHY1_VDDA_BIAS
3.6
25
Table 12. Thermal Resistance Data
Rating
Condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient1 natural convection
Single layer board (1s)
ReJA
53
C/W
Junction to ambient1 natural convection
Four layer board (2s2p)
ReJA
30
C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCIMX355AJQ5CR2 | MULTIMEDIA PROCESSOR 400-MAPBGA |
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| MCIMX357CVM5BR2 | IC MPU I.MX35 400MAPBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCIMX355AVM5B | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX355AVM5BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX356AJM5B | 功能描述:开发板和工具包 - ARM RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Arduino 产品:Development Boards 工具用于评估:ATSAM3X8EA-AU 核心:ARM Cortex M3 接口类型:DAC, ICSP, JTAG, UART, USB 工作电源电压:3.3 V |
| MCIMX356AJM5BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX356AJQ4C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:i.MX35 Applications Processors for Automotive Products |
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