参数资料
型号: MCP14E5-E/P
厂商: Microchip Technology
文件页数: 24/26页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DIP
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 46ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
NOTES:
DS22062B-page 24
? 2008 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料
PDF描述
RBM-1205D/P CONV DC/DC 1W 12VIN +/-05VOUT
TH3E476M025C0600 CAP TANT 47UF 25V 20% 2917
RBM-0515D/P CONV DC/DC 1W 5VIN +/-15VOUT
24100C INDUCTOR 10UH 1.44A SMD
DSS10-01A DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO-220AC
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP14E5ESN 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable
MCP14E5T-E/MF 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E5T-E/SL 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E5T-E/SN 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E5TEMF 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable