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参数资料
| 型号： | MCP14E5-E/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
DC CHARACTERISTICS (NOTE 2) (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T A = +25°C, with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Supply Current
I DD
—
1.60
2.00
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
0.60
0.90
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.20
1.40
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.20
1.40
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.40
1.80
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
0.55
0.75
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
1.00
1.20
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
1.00
1.20
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
Note 1:
2:
3:
Switching times ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
Package power dissipation is dependent on the copper pad area on the PCB.
DS22062B-page 4
? 2008 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBM-1205D/P | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-05VOUT |
| TH3E476M025C0600 | CAP TANT 47UF 25V 20% 2917 |
| RBM-0515D/P | CONV DC/DC 1W 5VIN +/-15VOUT |
| 24100C | INDUCTOR 10UH 1.44A SMD |
| DSS10-01A | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E5ESN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
| MCP14E5T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E5T-E/SL | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E5T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E5TEMF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
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